股票配资世界歡迎您的到来!

您好,歡迎訪問大咖配资官方网站!
全國咨詢熱線:
0510-82231106
0510-82231608

大咖配资
總機:86-0510-82231106/82231608
傳真:86-0510-82231080

當前位置:
  • 首頁
  • >
  • 新聞动态
  • >
  • 行业新聞
  • >
  • 半導體材料氧化鋅的制備與性能
半導體材料氧化鋅的制備與性能


氧化鋅是典型的第三代半導體材料,兼具3.37eV的禁帶寬度和60meV的激子束縛能,屬于II-VI族半導體。由于氧化鋅具備獨特的壓電、電学、光学記憶性能,所以氧化鋅在傳感器、導電記憶元件、激光系統等中具有廣闊的應用範圍。目前,有效提高氧化鋅薄膜光電性能的方法就是锂摻雜。

借助磁控濺射法制備锂摻雜的氧化鋅薄膜,并對其光学性能、電学性能進行研究。所制備出的锂摻雜氧化鋅薄膜均呈現六角纖鋅礦結構,并有着良好的c軸取向。在可見光波段中,锂摻雜氧化鋅薄膜具有良好的透光率,而紫外吸收邊陡峭。光致發光譜結果表明:锂摻雜氧化鋅在390nm408nm434nm465nm處出現受激發射。锂摻雜氧化鋅薄膜之所以被稱为n型半導體,是因为锂進入晶格後,會形成Lizn-Lii複合施主。

其次,研究發現提高生長溫度及退火溫度,對于提高薄膜的結晶性有着積極性影響。由于高溫條件下的Lizn-Lii複合施主會轉換为Lizn受主,所以锂摻雜氧化鋅薄膜的載流子濃度會随着生長溫度或退火溫度的上升而減小。而高溫還會對原子之間的軌道雜化和缺陷性能造成影響。因此,光致發光強度會随着生長溫度和退火溫度的升高而減小。

研究還發現,當氩氧比为10:1時,锂摻雜氧化鋅薄膜的結晶性达到最好狀态。此外,锂摻雜氧化鋅薄膜的禁帶寬度和氧氣的含量成反比。同時,當氩氧比为10:1時,锂摻雜氧化鋅薄膜的載流子濃度最小。說明可以最大限度形成受主能級并減少施主能級的生長氛圍是當氩氧比为10:1時。



上一篇:橡膠産品内粉體填料的要求與用量
下一篇:金屬氫氧化物阻燃劑:氫股票配资世界與氫氧化鋁
  • QQ咨詢

  • 在線咨詢